STH140N6F7 Todos los transistores

 

STH140N6F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH140N6F7

Código: 140N6F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 158 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 55 nC

Tiempo de elevación (tr): 68 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1520 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0032 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK, TO-263

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STH140N6F7 Datasheet (PDF)

1.1. sth140n6f7.pdf Size:696K _update-mosfet

STH140N6F7
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STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 Ω typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N6F7-2 60 V 0.0032 Ω 80 A 158 W STH140N6F7-6  Among the lowest R on the market DS(on)  Excellent figure of merit (FoM)  Low C /C ratio for EMI immunity

1.2. isth140n6f7.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

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Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7 ·FEATURES ·With To-263(D2PAK) package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 3.1. sth140n8f7-2.pdf Size:766K _update

STH140N6F7
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STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N8F7-2 80 V 4 mΩ 90 A 200 W  Among the lowest R on the market DS(on)  Excellent figure of merit (FoM)  Low C /C ratio for EMI immunity rss iss  High avalanche ruggedness Applicati

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