STH140N6F7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH140N6F7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
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STH140N6F7 datasheet
sth140n6f7.pdf
STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N6F7-2 60 V 0.0032 80 A 158 W STH140N6F7-6 Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity
isth140n6f7.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V
sth140n8f7-2.pdf
STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N8F7-2 80 V 4 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applicati
Otros transistores... MTD300N20J3, NTHL040N65S3F, NVD4C05NT4G, IXTH12N70X2, PSMN3R7-100BSE, R6018JNX, SIHG47N60AEF, STD140N6F7, AO3400A, STP140N6F7, SUP70060E, TK13A60W, VN1206N5, VN1210N2, WFD5N65L, CJ1012, CJ1012-G
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Liste
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