STH140N6F7 Todos los transistores

 

STH140N6F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH140N6F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
 

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STH140N6F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  st
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STH140N6F7

STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N6F7-2 60 V 0.0032 80 A 158 W STH140N6F7-6 Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity

 0.1. Size:258K  inchange semiconductor
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STH140N6F7

Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 7.1. Size:766K  st
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STH140N6F7

STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N8F7-2 80 V 4 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applicati

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STH140N6F7

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History: MTD2955VT4 | SPP6507S26RGB | STB80NF03L-04 | HY3810B | IRLU7807ZPBF | NCE1230SP | STB80NF55-06T

 

 
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