Справочник MOSFET. STH140N6F7

 

STH140N6F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: STH140N6F7

Маркировка: 140N6F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 158 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 55 nC

Время нарастания (tr): 68 ns

Выходная емкость (Cd): 1520 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm

Тип корпуса: D2PAK, TO-263

Аналог (замена) для STH140N6F7

 

 

STH140N6F7 Datasheet (PDF)

1.1. sth140n6f7.pdf Size:696K _update-mosfet

STH140N6F7
STH140N6F7

STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 Ω typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N6F7-2 60 V 0.0032 Ω 80 A 158 W STH140N6F7-6  Among the lowest R on the market DS(on)  Excellent figure of merit (FoM)  Low C /C ratio for EMI immunity

1.2. isth140n6f7.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

STH140N6F7
STH140N6F7

Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7 ·FEATURES ·With To-263(D2PAK) package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 3.1. sth140n8f7-2.pdf Size:766K _update

STH140N6F7
STH140N6F7

STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH140N8F7-2 80 V 4 mΩ 90 A 200 W  Among the lowest R on the market DS(on)  Excellent figure of merit (FoM)  Low C /C ratio for EMI immunity rss iss  High avalanche ruggedness Applicati

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top