CJ2101 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ2101

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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CJ2101 datasheet

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CJ2101

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m @-4.5V 100 -20V @-2.5V -1.4A 140m 1. GATE m @-1.8V 210 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

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