Справочник MOSFET. CJ2101

 

CJ2101 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ2101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ2101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  jiangsu
 cj2101.pdf pdf_icon

CJ2101

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m@-4.5V100-20V @-2.5V -1.4A140m1. GATE m@-1.8V 2102. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

 0.1. Size:1540K  cn tech public
 tpcj2101.pdf pdf_icon

CJ2101

 9.1. Size:1592K  jiangsu
 cj2102.pdf pdf_icon

CJ2101

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2102 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 68m@4.5V20V 2.1A@2.5V115m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING Maximum ratings (Ta=25

 9.2. Size:1323K  cn tech public
 tpcj2102.pdf pdf_icon

CJ2101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOTF11N70 | MSK7N80T | 2SK417 | R6515ENX | 2SK3080 | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.