CJ2101 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJ2101 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJ2101
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для CJ2101

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ2101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  jiangsu
 cj2101.pdf pdf_icon

CJ2101

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m@-4.5V100-20V @-2.5V -1.4A140m1. GATE m@-1.8V 2102. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

 0.1. Size:1540K  cn tech public
 tpcj2101.pdf pdf_icon

CJ2101

 9.1. Size:1592K  jiangsu
 cj2102.pdf pdf_icon

CJ2101

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2102 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 68m@4.5V20V 2.1A@2.5V115m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING Maximum ratings (Ta=25

 9.2. Size:1323K  cn tech public
 tpcj2102.pdf pdf_icon

CJ2101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP140N6F7 , SUP70060E , TK13A60W , VN1206N5 , VN1210N2 , WFD5N65L , CJ1012 , CJ1012-G , MMD60R360PRH , CJ2102 , CJ2301 , CJ2301-HF , CJ2301S , CJ2302 , CJ2302S , CJ2303 , CJ2304 .

History: FQPF13N06 | PM516BA | RJK03H1DPA | NCE65N1K2F | MTP5210F3 | IPW50R280CE

 

 
Back to Top

 


 
.