CJ2102 Todos los transistores

 

CJ2102 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ2102
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de CJ2102 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJ2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1592K  jiangsu
 cj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2102 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 68m@4.5V20V 2.1A@2.5V115m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING Maximum ratings (Ta=25

 0.1. Size:1323K  cn tech public
 tpcj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

 9.1. Size:1276K  jiangsu
 cj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m@-4.5V100-20V @-2.5V -1.4A140m1. GATE m@-1.8V 2102. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

 9.2. Size:1540K  cn tech public
 tpcj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SUP70060E , TK13A60W , VN1206N5 , VN1210N2 , WFD5N65L , CJ1012 , CJ1012-G , CJ2101 , IRF520 , CJ2301 , CJ2301-HF , CJ2301S , CJ2302 , CJ2302S , CJ2303 , CJ2304 , CJ2305 .

History: HSM24P03 | HSM2202 | CJ2333 | CJ2307 | IPW65R099C6 | CJ2301-HF

 

 
Back to Top

 


 
.