Справочник MOSFET. CJ2102

 

CJ2102 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ2102
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для CJ2102

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1592K  jiangsu
 cj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2102 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 68m@4.5V20V 2.1A@2.5V115m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING Maximum ratings (Ta=25

 0.1. Size:1323K  cn tech public
 tpcj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

 9.1. Size:1276K  jiangsu
 cj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m@-4.5V100-20V @-2.5V -1.4A140m1. GATE m@-1.8V 2102. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

 9.2. Size:1540K  cn tech public
 tpcj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUP70060E , TK13A60W , VN1206N5 , VN1210N2 , WFD5N65L , CJ1012 , CJ1012-G , CJ2101 , 8N60 , CJ2301 , CJ2301-HF , CJ2301S , CJ2302 , CJ2302S , CJ2303 , CJ2304 , CJ2305 .

History: STD13N65M2 | MTB340N11N6 | IRF7946TRPBF | MTB60P15H8 | TSM900N06CP

 

 
Back to Top

 


 
.