CJ2102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ2102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для CJ2102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ2102 даташит

 ..1. Size:1592K  jiangsu
 cj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

 0.1. Size:1323K  cn tech public
 tpcj2102.pdf pdf_icon

CJ2102

 9.1. Size:1276K  jiangsu
 cj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2101 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 m @-4.5V 100 -20V @-2.5V -1.4A 140m 1. GATE m @-1.8V 210 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE High Side Load Switch Leading Trench Technology for Low RDS(on) Charging Circuit Extending Battery Life

 9.2. Size:1540K  cn tech public
 tpcj2101.pdf pdf_icon

CJ2102

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SUP70060E, TK13A60W, VN1206N5, VN1210N2, WFD5N65L, CJ1012, CJ1012-G, CJ2101, IRFB7545, CJ2301, CJ2301-HF, CJ2301S, CJ2302, CJ2302S, CJ2303, CJ2304, CJ2305