CJ2333 Todos los transistores

 

CJ2333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ2333
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CJ2333 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  jiangsu
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CJ2333

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ -channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 28m@-4.5V 32m@-3.7V -6A 40m@-2.5V -12V 1. GATE 63m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN 150m@-1.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Excellent RDS(on) Low Gate Chargeand

 ..2. Size:871K  cn vbsemi
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CJ2333

CJ2333www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)

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History: DH009N02

 

 
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