CJ2333 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJ2333  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJ2333

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ2333 даташит

 ..1. Size:1004K  jiangsu
 cj2333.pdf pdf_icon

CJ2333

 ..2. Size:871K  cn vbsemi
 cj2333.pdf pdf_icon

CJ2333

CJ2333 www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-23)

Другие IGBT... CJ2303, CJ2304, CJ2305, CJ2306, CJ2307, CJ2310, CJ2312, CJ2321, IRF740, CJ3134K, CJ3134KW, CJ3139K, CJ3139KW, CJ3400, CJ3400A, CJ3400-HF, CJ3401