CJ502K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ502K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: SOT-23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJ502K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJ502K datasheet

 ..1. Size:2118K  jiangsu
 cj502k.pdf pdf_icon

CJ502K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ502K P-CHANNEL MOSFET ID SOT-23 V(BR)DSS RDS(on)MAX 8 @-10V -50V -180mA 10 @-5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry. APPLICATION FEATUR

Otros transistores... CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, CJ4153, IRFB4115, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65