CJ502K Todos los transistores

 

CJ502K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ502K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CJ502K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2118K  jiangsu
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CJ502K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ502K P-CHANNEL MOSFETID SOT-23 V(BR)DSS RDS(on)MAX 8@-10V-50V-180mA10@-5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAINDESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry. APPLICATION FEATUR

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History: 2SK1957 | MTP2N45 | VS3622DE | NCEP40T13AGU | SPN10T10 | CSD17577Q3A | HAT2071R

 

 
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