CJ502K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJ502K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJ502K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ502K даташит

 ..1. Size:2118K  jiangsu
 cj502k.pdf pdf_icon

CJ502K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ502K P-CHANNEL MOSFET ID SOT-23 V(BR)DSS RDS(on)MAX 8 @-10V -50V -180mA 10 @-5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry. APPLICATION FEATUR

Другие IGBT... CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, CJ4153, IRFB4115, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65