CJ8820 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ8820  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CJ8820 datasheet

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CJ8820

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8820 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 21m @10V 24m @4.5V 1. GATE 7A 28m @3.8V 20V 2. SOURCE 3. DRAIN 32m @2.5V 50m @1.8V DESCRIPTION The CJ8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protect

Otros transistores... CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, CJ4153, CJ502K, CJ8810, P55NF06, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65