CJ8820 Todos los transistores

 

CJ8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ8820
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CJ8820 Datasheet (PDF)

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CJ8820

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8820 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 21m@10V 24m@4.5V 1. GATE 7A 28m@3.8V 20V 2. SOURCE 3. DRAIN 32m@2.5V 50m@1.8V DESCRIPTIONThe CJ8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protect

Otros transistores... CJ3404-HF , CJ3406 , CJ3407 , CJ3415 , CJ3420 , CJ4153 , CJ502K , CJ8810 , IRFB4115 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 .

History: SVT035R5NSA | HM10P10Q | AFP9434WS | NP80N03EDE | WPM2005B | SQV90N06-05 | IRHM7360SE

 

 
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