CJ8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ8820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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CJ8820 Datasheet (PDF)
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8820 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 21m@10V 24m@4.5V 1. GATE 7A 28m@3.8V 20V 2. SOURCE 3. DRAIN 32m@2.5V 50m@1.8V DESCRIPTIONThe CJ8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protect
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
