Справочник MOSFET. CJ8820

 

CJ8820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ8820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ8820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:980K  jiangsu
 cj8820.pdf pdf_icon

CJ8820

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8820 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 21m@10V 24m@4.5V 1. GATE 7A 28m@3.8V 20V 2. SOURCE 3. DRAIN 32m@2.5V 50m@1.8V DESCRIPTIONThe CJ8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protect

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MTP4411Q8 | BSZ0904NSI | IRLR8726PBF | RJK0657DPA

 

 
Back to Top

 


 
.