CJ8820 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJ8820 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJ8820
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJ8820 даташит
cj8820.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ8820 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 21m @10V 24m @4.5V 1. GATE 7A 28m @3.8V 20V 2. SOURCE 3. DRAIN 32m @2.5V 50m @1.8V DESCRIPTION The CJ8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protect
Другие IGBT... CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, CJ4153, CJ502K, CJ8810, P55NF06, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65
History: LNB4N80 | CJP08N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668

