CJB01N65B Todos los transistores

 

CJB01N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJB01N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CJB01N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  jiangsu
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CJB01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB01N65B N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Otros transistores... CJ4153 , CJ502K , CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , AO3400 , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , CJB71N90 , CJD01N60 .

History: CJB04N60A | CJB10N60 | CJP07N60 | DHS045N98D | CJP04N65A | HGN230N10AL

 

 
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