CJB01N65B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJB01N65B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJB01N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB01N65B даташит

 ..1. Size:135K  jiangsu
 cjb01n65b.pdf pdf_icon

CJB01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB01N65B N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Другие IGBT... CJ4153, CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, IRF9540, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A, CJB08N65, CJB10N60, CJB71N90, CJD01N60