CJB04N60A Todos los transistores

 

CJB04N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJB04N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de CJB04N60A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJB04N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  jiangsu
 cjb04n60a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N60A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 7.1. Size:310K  jiangsu
 cjb04n65 cjb04n65a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N65A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Otros transistores... CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , 8205A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 .

History: CJP04N65A | DHS045N98D

 

 
Back to Top

 


 
.