CJB04N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJB04N60A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJB04N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB04N60A даташит

 ..1. Size:333K  jiangsu
 cjb04n60a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N60A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 7.1. Size:310K  jiangsu
 cjb04n65 cjb04n65a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N65A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Другие IGBT... CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, 2SK3878, CJB04N65, CJB04N65A, CJB08N65, CJB10N60, CJB71N90, CJD01N60, CJD01N65B, CJD01N80