CJB04N60A - аналоги и даташиты транзистора

 

CJB04N60A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJB04N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CJB04N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB04N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  jiangsu
 cjb04n60a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N60A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 7.1. Size:310K  jiangsu
 cjb04n65 cjb04n65a.pdf pdf_icon

CJB04N60A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB04N65A N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Другие MOSFET... CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , 8205A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 .

History: HGS085N10SL | CJP04N65A | DHS045N98D

 

 
Back to Top

 


 
.