CJB10N60 Todos los transistores

 

CJB10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJB10N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CJB10N60 Datasheet (PDF)

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CJB10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETSCJB10N60 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L Description The CJB10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

Otros transistores... CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , IRF4905 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A .

History: 2N7002DSGP | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10

 

 
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