CJB10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJB10N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-263
CJB10N60 Datasheet (PDF)
cjb10n60.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETSCJB10N60 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L Description The CJB10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu
Другие MOSFET... CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , IRF4905 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet