CJB10N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJB10N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJB10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB10N60 даташит

 ..1. Size:413K  jiangsu
 cjb10n60.pdf pdf_icon

CJB10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB10N60 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L Description The CJB10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

Другие IGBT... CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A, CJB08N65, IRF4905, CJB71N90, CJD01N60, CJD01N65B, CJD01N80, CJD02N60, CJD02N65, CJD04N60, CJD04N60A