CJB71N90 Todos los transistores

 

CJB71N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJB71N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CJB71N90 Datasheet (PDF)

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CJB71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB71N90 N-Channel MOSFET TO-263-2L DESCRIPTION The CJB71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN Lead free product is acquired 3

Otros transistores... CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , IRLB4132 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B .

History: IRFH7084 | CJP10N65 | MMP60R750PTH

 

 
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