CJB71N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJB71N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 71 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJB71N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB71N90 даташит

 ..1. Size:146K  jiangsu
 cjb71n90.pdf pdf_icon

CJB71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB71N90 N-Channel MOSFET TO-263-2L DESCRIPTION The CJB71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN Lead free product is acquired 3

Другие IGBT... CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A, CJB08N65, CJB10N60, IRLB4132, CJD01N60, CJD01N65B, CJD01N80, CJD02N60, CJD02N65, CJD04N60, CJD04N60A, CJD04N60B