Справочник MOSFET. CJB71N90

 

CJB71N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJB71N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 54.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для CJB71N90

 

 

CJB71N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  jiangsu
 cjb71n90.pdf

CJB71N90 CJB71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB71N90 N-Channel MOSFET TO-263-2L DESCRIPTION The CJB71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN Lead free product is acquired 3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top