Справочник MOSFET. CJB71N90

 

CJB71N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJB71N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CJB71N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB71N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  jiangsu
 cjb71n90.pdf pdf_icon

CJB71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB71N90 N-Channel MOSFET TO-263-2L DESCRIPTION The CJB71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN Lead free product is acquired 3

Другие MOSFET... CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , 5N60 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B .

History: IRF640NPBF | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | IRF40H210 | BRCS050N04BD | SSH6N80

 

 
Back to Top

 


 
.