CJD02N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJD02N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO-251S

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CJD02N60 datasheet

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CJD02N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N60 N-Channel Power MOSFET TO-251S General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanch

 7.1. Size:377K  jiangsu
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CJD02N60

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