Справочник MOSFET. CJD02N60

 

CJD02N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJD02N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251S
 

 Аналог (замена) для CJD02N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD02N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  jiangsu
 cjd02n60.pdf pdf_icon

CJD02N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N60 N-Channel Power MOSFET TO-251SGeneral Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanch

 7.1. Size:377K  jiangsu
 cjd02n65.pdf pdf_icon

CJD02N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N65 N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high sp

Другие MOSFET... CJB04N65 , CJB04N65A , CJB08N65 , CJB10N60 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , 2SK3568 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , CJD05N60B , CJD4410 .

History: FHD5N65B | QS5U21 | MS65R600R | LND150N3 | LSG65R1K5HT | AOTF66920L | STU6025NL

 

 
Back to Top

 


 
.