CJD05N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJD05N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251S
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJD05N60B
CJD05N60B Datasheet (PDF)
cjd05n60b.pdf
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD05N60B N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high s
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