Справочник MOSFET. CJD05N60B

 

CJD05N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJD05N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251S
 

 Аналог (замена) для CJD05N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD05N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  jiangsu
 cjd05n60b.pdf pdf_icon

CJD05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD05N60B N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high s

Другие MOSFET... CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , 4435 , CJD4410 , CJD4435 , CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 .

History: TSM9409CS | AP9938AGEY | NVMD3P03 | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.