CJD05N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJD05N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-251S
Аналог (замена) для CJD05N60B
CJD05N60B Datasheet (PDF)
cjd05n60b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD05N60B N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high s
Другие MOSFET... CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , 4435 , CJD4410 , CJD4435 , CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 .
History: PHD22NQ20T | STN1NK60Z | PDC3810V | VBK2298 | AOT1100L | PSMN1R2-25YL
History: PHD22NQ20T | STN1NK60Z | PDC3810V | VBK2298 | AOT1100L | PSMN1R2-25YL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet