CJD05N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD05N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJD05N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD05N60B даташит

 ..1. Size:332K  jiangsu
 cjd05n60b.pdf pdf_icon

CJD05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD05N60B N-Channel Power MOSFET TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high s

Другие IGBT... CJD01N80, CJD02N60, CJD02N65, CJD04N60, CJD04N60A, CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, 5N65, CJD4410, CJD4435, CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415