CJD4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJD4435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 15 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJD4435
CJD4435 Datasheet (PDF)
cjd4435.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4435 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-251-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. DRAIN 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage
cjd4410.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4410 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-2 51-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. DRAIN APPLICATIONS 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage
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