CJD4435 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD4435  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJD4435

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD4435 даташит

 ..1. Size:167K  jiangsu
 cjd4435.pdf pdf_icon

CJD4435

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4435 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-251-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. DRAIN 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage

 9.1. Size:180K  jiangsu
 cjd4410.pdf pdf_icon

CJD4435

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4410 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-2 51-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. DRAIN APPLICATIONS 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage

Другие IGBT... CJD02N65, CJD04N60, CJD04N60A, CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, IRFB3607, CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, CJM1216