CJD4435 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJD4435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJD4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CJD4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJD4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  jiangsu
 cjd4435.pdf pdf_icon

CJD4435

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4435 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-251-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. DRAIN 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage

 9.1. Size:180K  jiangsu
 cjd4410.pdf pdf_icon

CJD4435

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4410 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-2 51-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. DRAIN APPLICATIONS 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... CJD02N65 , CJD04N60 , CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , CJD05N60B , CJD4410 , IRF1407 , CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , CJM1216 .

History: IRF9540PBF | SIHG64N65E | HSCE2530 | IXFV30N60P | AON7522E | CSD16414Q5 | CJI02N60

 

 
Back to Top

 


 
.