CJM1216 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJM1216  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: DFNWB2X2-6L-J

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CJM1216 datasheet

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CJM1216

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB2 2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m @-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m @-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

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CJM1216

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @-4.5V 45 1. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A @-2.5V 3. GATE m @-1.8V 90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

Otros transistores... CJD4435, CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, TK10A60D, CJP01N65B, CJP02N60, CJP02N65, CJP02N80, CJP04N60, CJP04N60A, CJP04N65, CJP04N65A