CJM1216 Todos los transistores

 

CJM1216 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJM1216
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X2-6L-J
 

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CJM1216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1675K  jiangsu
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CJM1216

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB22-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m@-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m@-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

 9.1. Size:1816K  jiangsu
 cjm1206.pdf pdf_icon

CJM1216

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-JID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V451. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A@-2.5V3. GATE m@-1.8V90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

Otros transistores... CJD4435 , CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , IRFZ24N , CJP01N65B , CJP02N60 , CJP02N65 , CJP02N80 , CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A .

History: SM4146T9RL | AOTF280A60L | JCS7N65SE | 2SK2688-01S | PMN23UN | NCEA60ND18G | 2SK1685

 

 
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