CJM1216 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJM1216  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-J

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJM1216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJM1216 даташит

 ..1. Size:1675K  jiangsu
 cjm1216.pdf pdf_icon

CJM1216

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB2 2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m @-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m @-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

 9.1. Size:1816K  jiangsu
 cjm1206.pdf pdf_icon

CJM1216

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @-4.5V 45 1. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A @-2.5V 3. GATE m @-1.8V 90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

Другие IGBT... CJD4435, CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, TK10A60D, CJP01N65B, CJP02N60, CJP02N65, CJP02N80, CJP04N60, CJP04N60A, CJP04N65, CJP04N65A