Справочник MOSFET. CJM1216

 

CJM1216 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJM1216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-J

 Аналог (замена) для CJM1216

 

 

CJM1216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1675K  jiangsu
 cjm1216.pdf

CJM1216 CJM1216

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB22-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m@-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m@-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

 9.1. Size:1816K  jiangsu
 cjm1206.pdf

CJM1216 CJM1216

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-JID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V451. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A@-2.5V3. GATE m@-1.8V90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top