CJP01N65B Todos los transistores

 

CJP01N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJP01N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de CJP01N65B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJP01N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  jiangsu
 cjp01n65b.pdf pdf_icon

CJP01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP01N65B N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Otros transistores... CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , CJM1216 , IRFP450 , CJP02N60 , CJP02N65 , CJP02N80 , CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.