Справочник MOSFET. CJP01N65B

 

CJP01N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP01N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CJP01N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP01N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  jiangsu
 cjp01n65b.pdf pdf_icon

CJP01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP01N65B N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Другие MOSFET... CJI02N60 , CJK2305 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , CJM1216 , P60NF06 , CJP02N60 , CJP02N65 , CJP02N80 , CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | AS2305 | TSM40N03PQ56

 

 
Back to Top

 


 
.