CJP01N65B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP01N65B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP01N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP01N65B даташит

 ..1. Size:127K  jiangsu
 cjp01n65b.pdf pdf_icon

CJP01N65B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP01N65B N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

Другие IGBT... CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, CJM1216, AO4407, CJP02N60, CJP02N65, CJP02N80, CJP04N60, CJP04N60A, CJP04N65, CJP04N65A, CJP05N60