CJP71N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJP71N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 71 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-220

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CJP71N90 datasheet

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CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

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CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate Transistors CJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3L FEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING COLLECTOR 3 1 BASE front back 2 EMITTER Tape Drawin

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