CJP71N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJP71N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 54.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CJP71N90 Datasheet (PDF)

..1. Size:132K jiangsu
cjp71n90.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

9.1. Size:526K jiangsu
cjp718.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate TransistorsCJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3LFEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING: COLLECTOR31BASEfront back 2EMITTERTape Drawin

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Liste

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