Справочник MOSFET. CJP71N90

 

CJP71N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP71N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CJP71N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP71N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  jiangsu
 cjp71n90.pdf pdf_icon

CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

 9.1. Size:526K  jiangsu
 cjp718.pdf pdf_icon

CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate TransistorsCJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3LFEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING: COLLECTOR31BASEfront back 2EMITTERTape Drawin

Другие MOSFET... CJP07N60 , CJP07N65 , CJP08N60 , CJP08N65 , CJP10N60 , CJP10N65 , CJP12N60 , CJP12N65 , K2611 , CJP75N75 , CJP75N80 , CJP85N80 , CJPF01N65B , CJPF02N60 , CJPF02N65 , CJPF03N80 , CJPF04N60 .

History: SLF60R080SS | MTP2N90 | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | HGI090NE6A | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.