CJP71N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP71N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 71 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP71N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP71N90 даташит

 ..1. Size:132K  jiangsu
 cjp71n90.pdf pdf_icon

CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

 9.1. Size:526K  jiangsu
 cjp718.pdf pdf_icon

CJP71N90

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate Transistors CJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3L FEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING COLLECTOR 3 1 BASE front back 2 EMITTER Tape Drawin

Другие IGBT... CJP07N60, CJP07N65, CJP08N60, CJP08N65, CJP10N60, CJP10N65, CJP12N60, CJP12N65, 8N60, CJP75N75, CJP75N80, CJP85N80, CJPF01N65B, CJPF02N60, CJPF02N65, CJPF03N80, CJPF04N60