CJP85N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJP85N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CJP85N80 Datasheet (PDF)

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cjp85n80.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP85N80 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX 80A 8.5m@10V 85V TO-220-3L-CDESCRIPTION The CJP85N80 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitab

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