CJP85N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP85N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP85N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP85N80 даташит

 ..1. Size:1243K  jiangsu
 cjp85n80.pdf pdf_icon

CJP85N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP85N80 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX 80A 8.5m @10V 85V TO-220-3L-C DESCRIPTION The CJP85N80 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitab

Другие IGBT... CJP08N65, CJP10N60, CJP10N65, CJP12N60, CJP12N65, CJP71N90, CJP75N75, CJP75N80, AO3400A, CJPF01N65B, CJPF02N60, CJPF02N65, CJPF03N80, CJPF04N60, CJPF04N60A, CJPF04N65, CJPF04N65A