Справочник MOSFET. CJP85N80

 

CJP85N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP85N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP85N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1243K  jiangsu
 cjp85n80.pdf pdf_icon

CJP85N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP85N80 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX 80A 8.5m@10V 85V TO-220-3L-CDESCRIPTION The CJP85N80 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. Good stability and 1. GATE uniformity with high EAS .This device is suitab

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.