CJU03N80 Todos los transistores

 

CJU03N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJU03N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de CJU03N80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJU03N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  jiangsu
 cju03n80.pdf pdf_icon

CJU03N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU03N80 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU03N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation

Otros transistores... CJQ4459 , CJQ9435 , CJU01N60 , CJU01N65B , CJU01N80 , CJU02N60 , CJU02N65 , CJU02N80 , IRFZ44 , CJU04N60 , CJU04N60A , CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 .

History: DKI03038

 

 
Back to Top

 


 
.