CJU03N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJU03N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJU03N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU03N80 даташит

 ..1. Size:118K  jiangsu
 cju03n80.pdf pdf_icon

CJU03N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU03N80 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU03N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation

Другие IGBT... CJQ4459, CJQ9435, CJU01N60, CJU01N65B, CJU01N80, CJU02N60, CJU02N65, CJU02N80, IRF640, CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828