Справочник MOSFET. CJU03N80

 

CJU03N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJU03N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CJU03N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU03N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  jiangsu
 cju03n80.pdf pdf_icon

CJU03N80

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU03N80 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU03N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation

Другие MOSFET... CJQ4459 , CJQ9435 , CJU01N60 , CJU01N65B , CJU01N80 , CJU02N60 , CJU02N65 , CJU02N80 , IRFP460 , CJU04N60 , CJU04N60A , CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | PDN3611S | IRFP4321PBF | AM2308 | HM2P10PR

 

 
Back to Top

 


 
.