CJU05N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJU05N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJU05N60B
CJU05N60B Datasheet (PDF)
cju05n60b.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60B N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi
cju05n60.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60 N-CHANNEL POWER MOSFET TO-252-2L DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage,
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