Справочник MOSFET. CJU05N60B

 

CJU05N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJU05N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CJU05N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU05N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  jiangsu
 cju05n60b.pdf pdf_icon

CJU05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60B N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 6.1. Size:278K  jiangsu
 cju05n60.pdf pdf_icon

CJU05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60 N-CHANNEL POWER MOSFET TO-252-2L DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage,

Другие MOSFET... CJU02N65 , CJU02N80 , CJU03N80 , CJU04N60 , CJU04N60A , CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , IRF3710 , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 .

History: IRF6619 | TPC8301 | 3N70L-TF3-T | RJK5026DPE | DMG6301UDW

 

 
Back to Top

 


 
.