CJU05N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJU05N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJU05N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU05N60B даташит

 ..1. Size:390K  jiangsu
 cju05n60b.pdf pdf_icon

CJU05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60B N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 6.1. Size:278K  jiangsu
 cju05n60.pdf pdf_icon

CJU05N60B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU05N60 N-CHANNEL POWER MOSFET TO-252-2L DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage,

Другие IGBT... CJU02N65, CJU02N80, CJU03N80, CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, AO3400, CJU10N10, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, CJW1012, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590