CJU10N10 Todos los transistores

 

CJU10N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJU10N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CJU10N10 Datasheet (PDF)

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CJU10N10

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU10N10 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU10N10 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation U

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History: IRF7902 | PD616BA | GT45N06 | LBSS139DW1T1G | PE561BA | HSH15810

 

 
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