CJU10N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJU10N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJU10N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU10N10 даташит

 ..1. Size:297K  jiangsu
 cju10n10.pdf pdf_icon

CJU10N10

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU10N10 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU10N10 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation U

Другие IGBT... CJU02N80, CJU03N80, CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, IRFB4227, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, CJW1012, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621