Справочник MOSFET. CJU10N10

 

CJU10N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJU10N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CJU10N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU10N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  jiangsu
 cju10n10.pdf pdf_icon

CJU10N10

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU10N10 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION The CJU10N10 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURE Excellent package for good heat dissipation U

Другие MOSFET... CJU02N80 , CJU03N80 , CJU04N60 , CJU04N60A , CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , AON6414A , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 .

History: DMP2100UCB9 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | PN4117 | PM560BZ | VBQA1302

 

 
Back to Top

 


 
.