CJW1012 Todos los transistores

 

CJW1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJW1012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

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CJW1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2017K  jiangsu
cjw1012.pdf pdf_icon

CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m @4.5V 20V 3 500mA 850m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 1 3. DRAIN 2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

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