CJW1012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJW1012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de CJW1012 MOSFET
CJW1012 Datasheet (PDF)
cjw1012.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m@4.5V20V3500mA850m@2.5V1. GATE2. SOURCEGENERRAL DESCRIPTION 13. DRAIN2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce
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History: SST202 | NCE85H21TC | AO4932 | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R
History: SST202 | NCE85H21TC | AO4932 | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R



Liste
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