CJW1012 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJW1012  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT-323

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJW1012 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJW1012 datasheet

 ..1. Size:2017K  jiangsu
 cjw1012.pdf pdf_icon

CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m @4.5V 20V 3 500mA 850m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 1 3. DRAIN 2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

Otros transistores... CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, IRFB4115, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H, CTLDM7003-M621, CTLDM7120-M563, CTLDM7120-M621