Справочник MOSFET. CJW1012

 

CJW1012 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJW1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 750 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 16 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для CJW1012

 

 

CJW1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2017K  jiangsu
 cjw1012.pdf

CJW1012 CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m@4.5V20V3500mA850m@2.5V1. GATE2. SOURCEGENERRAL DESCRIPTION 13. DRAIN2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top