Справочник MOSFET. CJW1012

 

CJW1012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJW1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJW1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2017K  jiangsu
 cjw1012.pdf pdf_icon

CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m@4.5V20V3500mA850m@2.5V1. GATE2. SOURCEGENERRAL DESCRIPTION 13. DRAIN2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.