CJW1012 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJW1012  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJW1012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJW1012 даташит

 ..1. Size:2017K  jiangsu
 cjw1012.pdf pdf_icon

CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m @4.5V 20V 3 500mA 850m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 1 3. DRAIN 2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

Другие IGBT... CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, IRFB4115, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H, CTLDM7003-M621, CTLDM7120-M563, CTLDM7120-M621