Справочник MOSFET. CJW1012

 

CJW1012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJW1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для CJW1012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJW1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2017K  jiangsu
 cjw1012.pdf pdf_icon

CJW1012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJW1012 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 700m@4.5V20V3500mA850m@2.5V1. GATE2. SOURCEGENERRAL DESCRIPTION 13. DRAIN2 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench proce

Другие MOSFET... CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , IRFP250N , CTLDM303N-M832DS , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 .

History: IXFT16N80P | NCV8402D | SM2603PSC

 

 
Back to Top

 


 
.