CTLM8110-M832D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTLM8110-M832D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TLM832D

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CTLM8110-M832D datasheet

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CTLM8110-M832D

CTLM8110-M832D MULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.com SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION AND The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER consists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe

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