CTLM8110-M832D Todos los transistores

 

CTLM8110-M832D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTLM8110-M832D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TLM832D

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CTLM8110-M832D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  central
 ctlm8110-m832d.pdf pdf_icon

CTLM8110-M832D

CTLM8110-M832D MULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.com SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION AND The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER consists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe

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History: CTM2N7002 | 2SK956-01R | CTN2304 | 2SJ598-Z

 

 
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