Справочник MOSFET. CTLM8110-M832D

 

CTLM8110-M832D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTLM8110-M832D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TLM832D
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLM8110-M832D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  central
 ctlm8110-m832d.pdf pdf_icon

CTLM8110-M832D

CTLM8110-M832DMULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.comSURFACE MOUNT P-CHANNELENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETDESCRIPTION:ANDThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIERconsists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM3400B | 1N60P

 

 
Back to Top

 


 
.