CTLM8110-M832D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CTLM8110-M832D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TLM832D
Аналог (замена) для CTLM8110-M832D
CTLM8110-M832D Datasheet (PDF)
ctlm8110-m832d.pdf
CTLM8110-M832D MULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.com SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION AND The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER consists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe
Другие MOSFET... CTLDM7120-M832DS , CTLDM7181-M832D , CTLDM7590 , CTLDM8002A-M621 , CTLDM8002A-M621H , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , SPP20N60C3 , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229


