Справочник MOSFET. CTLM8110-M832D

 

CTLM8110-M832D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTLM8110-M832D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TLM832D
 

 Аналог (замена) для CTLM8110-M832D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLM8110-M832D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  central
 ctlm8110-m832d.pdf pdf_icon

CTLM8110-M832D

CTLM8110-M832DMULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.comSURFACE MOUNT P-CHANNELENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETDESCRIPTION:ANDThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIERconsists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe

Другие MOSFET... CTLDM7120-M832DS , CTLDM7181-M832D , CTLDM7590 , CTLDM8002A-M621 , CTLDM8002A-M621H , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , AON7410 , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 .

History: IXFH96N15P | TSM5ND50CP | FDMS8050ET30 | HY4N60D | NTB30N06L | AM90P06-20P | LND04R035B

 

 
Back to Top

 


 
.