CTLM8110-M832D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLM8110-M832D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TLM832D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTLM8110-M832D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLM8110-M832D даташит

 ..1. Size:596K  central
 ctlm8110-m832d.pdf pdf_icon

CTLM8110-M832D

CTLM8110-M832D MULTI DISCRETE MODULE www.centralsemi.com SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION AND The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM8110-M832D LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER consists of an P-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designe

Другие IGBT... CTLDM7120-M832DS, CTLDM7181-M832D, CTLDM7590, CTLDM8002A-M621, CTLDM8002A-M621H, CTLDM8120-M621H, CTLDM8120-M832D, CTLM7110-M832D, SPP20N60C3, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50