CTM01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTM01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

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CTM01N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:188K crownpo
ctm01n60.pdf

CTM01N60CTM01N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: