CTM01N60 Todos los transistores

 

CTM01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTM01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

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CTM01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  crownpo
 ctm01n60.pdf pdf_icon

CTM01N60

CTM01N60 CTM01N60 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Robust High Voltage Termination This high voltage MOSFET uses an advanced termination Avalanche Energy Specified scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a without degrading performance over time. In addition,

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