CTM01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTM01N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTM01N60
CTM01N60 Datasheet (PDF)
..1. Size:188K crownpo
ctm01n60.pdf
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CTM01N60CTM01N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,
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