CTM01N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM01N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM01N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM01N60 даташит

 ..1. Size:188K  crownpo
 ctm01n60.pdf pdf_icon

CTM01N60

CTM01N60 CTM01N60 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Robust High Voltage Termination This high voltage MOSFET uses an advanced termination Avalanche Energy Specified scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a without degrading performance over time. In addition,

Другие IGBT... CTLDM7181-M832D, CTLDM7590, CTLDM8002A-M621, CTLDM8002A-M621H, CTLDM8120-M621H, CTLDM8120-M832D, CTLM7110-M832D, CTLM8110-M832D, SKD502T, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20