Справочник MOSFET. CTM01N60

 

CTM01N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTM01N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для CTM01N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  crownpo
 ctm01n60.pdf pdf_icon

CTM01N60

CTM01N60CTM01N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,

Другие MOSFET... CTLDM7181-M832D , CTLDM7590 , CTLDM8002A-M621 , CTLDM8002A-M621H , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , IRF9540N , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 .

History: SI4420DYPBF | 2SK2485 | IPB029N06N3GE8187 | GP1M008A050XX | APT12F60K

 

 
Back to Top

 


 
.