CTM04N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTM04N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
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CTM04N60 Datasheet (PDF)
..1. Size:123K crownpo
ctm04n60.pdf
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CTM04N60CTM04N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionHigher Current RatingThis advanced high voltage MOSFET is designed toLower RDS(on)withstand high energy in the avalanche mode and switchLower Capacitancesefficiently. This new high energy device also offers aLower Total Gate Chargedrain-to-source diode with f
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