CTM04N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTM04N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F

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CTM04N60 datasheet

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CTM04N60

CTM04N60 CTM04N60 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Higher Current Rating This advanced high voltage MOSFET is designed to Lower RDS(on) withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Capacitances efficiently. This new high energy device also offers a Lower Total Gate Charge drain-to-source diode with f

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