CTM04N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM04N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM04N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM04N60 даташит

 ..1. Size:123K  crownpo
 ctm04n60.pdf pdf_icon

CTM04N60

CTM04N60 CTM04N60 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Higher Current Rating This advanced high voltage MOSFET is designed to Lower RDS(on) withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Capacitances efficiently. This new high energy device also offers a Lower Total Gate Charge drain-to-source diode with f

Другие IGBT... CTLDM8002A-M621, CTLDM8002A-M621H, CTLDM8120-M621H, CTLDM8120-M832D, CTLM7110-M832D, CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, 13N50, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302