Справочник MOSFET. CTM04N60

 

CTM04N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTM04N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для CTM04N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM04N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  crownpo
 ctm04n60.pdf pdf_icon

CTM04N60

CTM04N60CTM04N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionHigher Current RatingThis advanced high voltage MOSFET is designed toLower RDS(on)withstand high energy in the avalanche mode and switchLower Capacitancesefficiently. This new high energy device also offers aLower Total Gate Chargedrain-to-source diode with f

Другие MOSFET... CTLDM8002A-M621 , CTLDM8002A-M621H , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , TK10A60D , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 .

History: PT4606 | IPD90N06S4-05 | AUIRF8736M2TR | NP82N04PUG | MTP4835Q8 | AONR34332C

 

 
Back to Top

 


 
.