CTM09N20 Todos los transistores

 

CTM09N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTM09N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CTM09N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  crownpo
 ctm09n20.pdf pdf_icon

CTM09N20

CTM09N20 Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Dynamic dv/dt Rating This Power MOSFET is designed for low voltage, high Repetitive Avalanche Rated speed power switching applications such as switching Fast Switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Pin Configuration Symbol

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