CTM09N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTM09N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 43 nC
   Tiempo de subida (tr): 28 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTM09N20

CTM09N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:140K crownpo
ctm09n20.pdf

CTM09N20Crownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionDynamic dv/dt RatingThis Power MOSFET is designed for low voltage, highRepetitive Avalanche Ratedspeed power switching applications such as switchingFast Switchingregulators, converters, solenoid and relay drivers.Ease of ParallelingSimple Drive RequirementsPin Configuration Symbol

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