CTM09N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTM09N20 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO-220
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CTM09N20 datasheet
ctm09n20.pdf
CTM09N20 Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Dynamic dv/dt Rating This Power MOSFET is designed for low voltage, high Repetitive Avalanche Rated speed power switching applications such as switching Fast Switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Pin Configuration Symbol
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