Справочник MOSFET. CTM09N20

 

CTM09N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CTM09N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для CTM09N20

 

 

CTM09N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  crownpo
 ctm09n20.pdf

CTM09N20 CTM09N20

CTM09N20Crownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionDynamic dv/dt RatingThis Power MOSFET is designed for low voltage, highRepetitive Avalanche Ratedspeed power switching applications such as switchingFast Switchingregulators, converters, solenoid and relay drivers.Ease of ParallelingSimple Drive RequirementsPin Configuration Symbol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top