CTM09N20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CTM09N20. Основные параметры


   Наименование производителя: CTM09N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CTM09N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM09N20 даташит

 ..1. Size:140K  crownpo
 ctm09n20.pdf pdf_icon

CTM09N20

CTM09N20 Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Dynamic dv/dt Rating This Power MOSFET is designed for low voltage, high Repetitive Avalanche Rated speed power switching applications such as switching Fast Switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Pin Configuration Symbol

Другие MOSFET... CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , IRF1010E , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P .

History: AGM1075D | AGM056N10A | AGM15T05LL | SI6423DQ-T1 | AO4828 | DHISJ13N65 | AGM1010A-E

 

 
Back to Top

 


 
.