CTM09N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM09N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM09N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM09N20 даташит

 ..1. Size:140K  crownpo
 ctm09n20.pdf pdf_icon

CTM09N20

CTM09N20 Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Dynamic dv/dt Rating This Power MOSFET is designed for low voltage, high Repetitive Avalanche Rated speed power switching applications such as switching Fast Switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Pin Configuration Symbol

Другие IGBT... CTLM7110-M832D, CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, IRFB3607, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P